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半导体器件原理书籍详细信息
- ISBN：9787309081442
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2011-5
- 页数：375
- 价格：48.00元
- 纸张：暂无纸张
- 装帧：暂无装帧
- 开本：暂无开本
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
内容简介：
《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。
《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
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其它内容：
书籍介绍
《半导体器件原理》不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。
《半导体器件原理》可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
书籍真实打分
故事情节：8分
人物塑造：4分
主题深度：6分
文字风格：8分
语言运用：5分
文笔流畅：7分
思想传递：4分
知识深度：7分
知识广度：6分
实用性：3分
章节划分：8分
结构布局：5分
新颖与独特：7分
情感共鸣：8分
引人入胜：6分
现实相关：9分
沉浸感：8分
事实准确性：9分
文化贡献：9分
网站评分
书籍多样性：6分
书籍信息完全性：5分
网站更新速度：6分
使用便利性：9分
书籍清晰度：3分
书籍格式兼容性：4分
是否包含广告：5分
加载速度：8分
安全性：7分
稳定性：4分
搜索功能：3分
下载便捷性：5分
下载点评
- 情节曲折(218+)
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- 字体合适(328+)
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- 藏书馆(450+)
下载评价
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