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半导体物理基础书籍详细信息
- ISBN：9787030287281
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2015-08
- 页数：283
- 价格：57.40
- 纸张：胶版纸
- 装帧：圆脊精装
- 开本：暂无开本
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
内容简介：
《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
《半导体物理基础》对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。《半导体物理基础》可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。
书籍目录：
前言
第1章 掺杂半导体的导电性
1.1 掺杂和载流子
1.2 电导率和电阻率
1.3 迁移率
1.4 测量电阻率的四探针方法
1.5 扩散薄层的方块电阻
第2章 能级和载流子
2.1 量子态和能级
2.2 多子和少子的热平衡
2.3 费米能级
2.4 电子的平衡统计分布规律
2.5 非平衡载流子的复合
2.6 非平衡载流子的扩散
第3章 pn结
3.1 pn结的电流一电压关系
3.2 空间电荷区中的复合和产生电流
3.3 晶体管的电流放大作用
3.4 高掺杂的半导体和pn结
3.5 pn结的击穿
3.6 pn结的电容效应
3.7 金属一半导体接触
第4章 半导体表面
4.1 表面空间电荷区及反型层
4.2 MIS电容器——理想C(V)特性
4.3 实际MIs电容器的c(V)特性及应用
4.4 硅一二氧化硅系统的性质
4.5 MOs场效应晶体管
4.6 电荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和间隙原子
5.3 位错
5.4 层错
5.5 相变和相图
作者介绍：
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出版社信息：
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书籍摘录：
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媒体评论
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书籍介绍
《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
《半导体物理基础》对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。《半导体物理基础》可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。
书籍真实打分
故事情节：6分
人物塑造：5分
主题深度：9分
文字风格：8分
语言运用：5分
文笔流畅：5分
思想传递：9分
知识深度：9分
知识广度：7分
实用性：8分
章节划分：7分
结构布局：7分
新颖与独特：4分
情感共鸣：5分
引人入胜：5分
现实相关：5分
沉浸感：7分
事实准确性：7分
文化贡献：9分
网站评分
书籍多样性：4分
书籍信息完全性：4分
网站更新速度：4分
使用便利性：4分
书籍清晰度：7分
书籍格式兼容性：3分
是否包含广告：7分
加载速度：4分
安全性：3分
稳定性：5分
搜索功能：3分
下载便捷性：3分
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